¿Qué nueva tecnología de almacenamiento desarrolla la Universidad de Fudan?
Actualmente, existen dos tipos principales de tecnología de almacenamiento de carga de semiconductores. El primer tipo es el almacenamiento volátil, como la memoria de la computadora, que puede escribir datos en unos pocos nanosegundos, pero los datos desaparecerán inmediatamente después de un corte de energía; el segundo tipo es el almacenamiento no volátil, como una unidad flash USB, que requiere almacenamiento; Desde varios microsegundos para guardar datos, desde segundos hasta decenas de microsegundos, pero después de escribir los datos, se pueden guardar durante 10 años sin energía adicional.
La nueva tecnología de almacenamiento de carga puede lograr una nueva tercera característica de almacenamiento: la velocidad de escritura es 1000 veces más rápida que el disco USB actual y el tiempo de actualización de datos es 1,56 veces mayor que el de la tecnología de memoria. También tiene buena controlabilidad y puede diseñar la estructura de almacenamiento de acuerdo con los requisitos de tiempo válidos de los datos. No solo alcanza la velocidad de escritura de datos de 10 nanosegundos, sino que también logra las características casi no volátiles de datos controlables personalizados bajo demanda (10 segundos-10 años). No solo puede reducir en gran medida el consumo de energía de almacenamiento en la memoria de alta velocidad, sino que también puede lograr la desaparición natural de los datos después de su vencimiento, resolviendo la contradicción entre confidencialidad y transmisión para algunos escenarios de aplicaciones especiales.
Esta investigación seleccionó de forma innovadora una variedad de materiales bidimensionales como disulfuro de molibdeno, seleniuro de tungsteno, disulfuro de hafnio, nitruro de boro y otros materiales bidimensionales para formar un transistor de puerta semiflotante y produjo una camioneta. Estructura del valle de energía escalonada der Waals. Algunas son como una puerta que se puede abrir y cerrar a voluntad, lo que facilita la entrada de electrones y dificulta su salida; la otra parte es como una pared hermética, lo que dificulta la entrada y salida de los electrones. Los requisitos de "velocidad de escritura" y "no volátil" residen en la proporción de estas dos partes. Este importante avance, desde la definición técnica, el modelo estructural hasta el análisis de rendimiento, fue completado de forma independiente por el equipo de investigación de la Universidad de Fudan.