¿Qué componente electrónico es Mosfet?

MOSFET es un transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico.

MOSFET, el nombre completo es Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico, también se puede llamar MOS, tubo MOS, en chino es un transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico, que es un dispositivo semiconductor que controla la corriente a través del efecto de campo. La puerta de la capa metálica (M) está separada por la capa de óxido (O) y utiliza el efecto del campo eléctrico para controlar el transistor de efecto de campo del semiconductor (S), que es el dispositivo electrónico más básico.

Se caracteriza por una pequeña resistencia de encendido, baja pérdida, circuito de accionamiento simple y buenas características de resistencia térmica. Es muy adecuado para campos de control de energía como computadoras, teléfonos móviles, fuentes de alimentación móviles y navegación de vehículos. , vehículos eléctricos y fuentes de alimentación UPS.

Según los diferentes voltajes de trabajo, los MOSFET de potencia se pueden dividir en MOSFET de voltaje medio y bajo con voltajes de trabajo inferiores a 100 V y MOSFET de alto voltaje superiores a 500 V. Entre ellos, los MOSFET de voltaje medio y bajo se utilizan principalmente en. productos como teléfonos móviles, cámaras digitales y bicicletas eléctricas, mientras que los campos de alto voltaje incluyen generación de energía eólica, máquinas de soldar eléctricas, convertidores de frecuencia de alto voltaje y equipos de generación de energía, etc.

MOSFET de alimentación de trinchera (MOSFET de trinchera): rango de voltaje de 12 V a 250 V, campos aplicables: MID, fuente de alimentación móvil, cable de datos de teléfono móvil, fuente de alimentación LED, lámpara HID, fuente de alimentación para PC con medalla de oro, alimentación para TV Placa, tarjeta gráfica de computadora, fuente de alimentación UPS, etc., las ventajas son fácil de manejar, alta frecuencia de operación, buena estabilidad térmica, baja pérdida, pero baja tensión soportada. Debido a la necesidad de zanjas, el proceso es complejo y la consistencia. de la unidad, las características de transconductancia y la relación de energía de avalancha son relativamente pobres.