Documentos de aplicación y medición de deformaciones
Este artículo estudia las características de la interfaz del MOS de silicio deformado.
Basándose en la estructura del dispositivo del canal de superficie MOS de silicio tenso, se estableció un modelo del voltaje de puerta y la concentración de portadores minoritarios de la capa inversa. Mediante el análisis de este modelo, se estudiaron las características capacitancia-voltaje del MOS de silicio deformado. Los resultados muestran que la diferencia de banda de energía entre la heterounión de silicio germanio tenso y silicio relajado limita la formación de electrones y huecos. A temperatura ambiente, la curva C-V del MOS de silicio deformado tiene un fenómeno escalonado en la región de agotamiento o región de inversión. Este paso varía con respecto a la concentración de dopaje de la capa epitaxial de Si tensado/SiGe relajado.
Basado en los resultados de experimentos C-V de alta frecuencia, se discute la carga de la interfaz del sistema Si/SiO2 tenso y su influencia en las propiedades de la interfaz. Finalmente, al mejorar y modificar el método de medición de capacitancia de alta frecuencia MOS de silicio a granel, se midió y calculó la densidad del estado de la interfaz tensa Si/SiO2.
Basado en la física de dispositivos, se propone un modelo semiempírico de la movilidad electrónica del canal de inversión de n-MOSFET de silicio deformado. Este modelo tiene en cuenta la influencia de los factores de dispersión (como la red cristalina, las impurezas ionizadas, los fonones de superficie, la carga de la interfaz y la rugosidad de la interfaz) en la movilidad del canal y también incluye el efecto de protección de los antielectrones. Finalmente, se realizó la simulación en MATLAB y los resultados de la simulación fueron completamente consistentes con el experimento.