¿Qué hay de malo en las características estructurales del bjt?
La afirmación incorrecta sobre las características estructurales de BJT es (C).
A. La región base es muy delgada y la concentración de dopaje es muy baja.
B La concentración de dopaje de la región emisora es mucho mayor que la concentración de dopaje de la región colectora. /p>
C. La concentración de dopaje de la región base es mucho mayor que la concentración de dopaje de la región colectora.
D El área de la región colectora es mayor que el área de . la región del emisor
Basado en diferentes estructuras, bjt generalmente se puede dividir en dos tipos: tipo npn y tipo pnp. El diagrama esquemático estructural, la sección transversal del troquel y los símbolos del npn tipo BJT se muestran en la Figura 3.
Las tres regiones del semiconductor se denominan región emisora, región base y región colectora respectivamente; los tres electrodos extraídos de las tres regiones se denominan emisor e, base by colector c respectivamente; ; la región del emisor y la unión pn entre el área de la base se llama unión del emisor, y la unión pn entre el área de la base y el área del colector se llama unión del colector.
Las características estructurales de bjt incluyen rendimiento de frecuencia ultraalta, gran capacidad de conducción de corriente y dos portadores de polaridad, electrones libres y huecos. Dispositivos impulsados por la corriente.
La región semiconductora de impurezas correspondiente al emisor (e) es la región emisora, y esta región tiene una mayor concentración de dopaje. La región semiconductora de impurezas correspondiente a la base (b) es la región base. La anchura de esta región es muy delgada y la concentración de dopaje es muy baja.
La región del semiconductor de impurezas correspondiente al colector (c) es la región del colector. Esta región tiene un área grande y una concentración de dopaje muy baja. Unión emisora: unión PN entre la zona emisora y la zona base. Unión de colectores: Unión PN entre la zona de base y la zona de colectores.