La Red de Conocimientos Pedagógicos - Aprendizaje de redacción de artículos/tesis - ¿Qué hay de malo en las características estructurales del bjt?

¿Qué hay de malo en las características estructurales del bjt?

La afirmación incorrecta sobre las características estructurales de BJT es (C).

A. La región base es muy delgada y la concentración de dopaje es muy baja.

B La concentración de dopaje de la región emisora ​​es mucho mayor que la concentración de dopaje de la región colectora. /p>

C. La concentración de dopaje de la región base es mucho mayor que la concentración de dopaje de la región colectora.

D El área de la región colectora es mayor que el área de ​. ​la región del emisor

Basado en diferentes estructuras, bjt generalmente se puede dividir en dos tipos: tipo npn y tipo pnp. El diagrama esquemático estructural, la sección transversal del troquel y los símbolos del npn tipo BJT se muestran en la Figura 3.

Las tres regiones del semiconductor se denominan región emisora, región base y región colectora respectivamente; los tres electrodos extraídos de las tres regiones se denominan emisor e, base by colector c respectivamente; ; la región del emisor y la unión pn entre el área de la base se llama unión del emisor, y la unión pn entre el área de la base y el área del colector se llama unión del colector.

Las características estructurales de bjt incluyen rendimiento de frecuencia ultraalta, gran capacidad de conducción de corriente y dos portadores de polaridad, electrones libres y huecos. Dispositivos impulsados ​​por la corriente.

La región semiconductora de impurezas correspondiente al emisor (e) es la región emisora, y esta región tiene una mayor concentración de dopaje. La región semiconductora de impurezas correspondiente a la base (b) es la región base. La anchura de esta región es muy delgada y la concentración de dopaje es muy baja.

La región del semiconductor de impurezas correspondiente al colector (c) es la región del colector. Esta región tiene un área grande y una concentración de dopaje muy baja. Unión emisora: unión PN entre la zona emisora ​​y la zona base. Unión de colectores: Unión PN entre la zona de base y la zona de colectores.