¿Qué es la tecnología de dopaje de semiconductores?

Relativamente hablando, el número de portadores en los semiconductores intrínsecos es muy pequeño y la conductividad sigue siendo muy baja. Sin embargo, si se dopa una pequeña cantidad de impurezas, la conductividad del semiconductor de impurezas formado mejorará considerablemente. Debido a las diferentes impurezas, los semiconductores de impurezas se pueden dividir en dos categorías: tipo N y tipo P.

Las impurezas dopadas en los semiconductores de tipo N son fósforo u otros elementos pentavalentes. Cuando los átomos de fósforo reemplazan a los átomos en la estructura cristalina original para formar enlaces de valencia, el exceso de electrones pentavalentes puede escapar fácilmente de los grilletes del núcleo de fósforo y convertirse en electrones libres. Como resultado, el número de electrones libres en el semiconductor aumenta considerablemente y el número de electrones libres en el semiconductor aumenta considerablemente. Los electrones libres se convierten en portadores mayoritarios y los huecos en portadores minoritarios.

Las impurezas dopadas en los semiconductores tipo P son boro u otros elementos trivalentes. Cuando los átomos de boro reemplazan a los átomos en la estructura cristalina original para formar un enlace de valencia, se formarán huecos debido a la falta de un electrón de valencia. Como resultado, el número de huecos en el semiconductor aumenta considerablemente, los huecos se convierten en los portadores mayoritarios y. Los electrones libres se convierten en portadores minoritarios.

Tenga en cuenta que tanto los semiconductores de tipo N como los de tipo P tienen la mayoría de los portadores, pero el cristal completo aún no tiene carga.