¿Qué información pueden proporcionar los tres parámetros del transistor, Vce(sat), Vbe(sat) y HFE, para el transistor, de la siguiente manera?
h se refiere al modelo de parámetro "h", f se refiere a la ganancia de corriente directa "f" y e se refiere al transmisor "e" ordinario.
HFE es la ganancia actual cuando el modelo del parámetro H se activa en dirección directa en condiciones * * *
Vce(sat):
La generación de Ic está relacionado con los polos CE relacionados con la intensidad del campo eléctrico entre ellos. Dado que el movimiento de los electrones en los semiconductores es limitado, cuando Vce aumenta hasta cierto punto, Ic no aumentará, es decir, entrará en la zona de saturación. Si Vce continúa aumentando, se producirá una ruptura.
Aquí, Vce(sat) se refiere a la tensión mínima entre ce necesaria para alcanzar la zona de saturación.
Vbe (sábado):
El voltaje entre BE determina el tamaño de Ie, al igual que la válvula de agua del grifo. La ingeniería industrial y Vbe tienen una relación exponencial. En términos generales, Vbe se considera una constante. Si se aumenta a la fuerza, Ie aumentará exponencialmente y el transistor se quemará.
Aquí, Vbe se puede utilizar como constante para encontrar la corriente.