qvd

1. Según la tabla de resistividad, la concentración de dopaje NA=2X10^16 CM^(-3)

2. Según la tabla de concentración de dopaje, la función de trabajo Ws de. el semiconductor se obtiene =5.00eV

3 Para obtener la unión Schottky, se requiere que el semiconductor tipo P satisfaga Wmlt, por lo que se debe seleccionar Al como metal para formar la unión Schottky. .

4. La altura de la barrera de potencial en el lado metálico q$ps=X Eg-Wm=4.05 1.124-4.20=0.974eV

5. qVD= |Wm-Ws|=|4.20-5.00|=0.80eV