El principio de funcionamiento y las funciones de igbt

IGBT es la evolución natural del MOSFET de potencia vertical y es adecuado para aplicaciones de alta corriente y alto voltaje y equipos terminales rápidos.

Debido a que el canal fuente-drenaje es necesario para lograr un voltaje de ruptura BVDSS más alto, pero el canal tiene una resistividad alta, lo que resulta en que el MOSFET de potencia tenga un valor RDS(on) alto. Los IGBT eliminan estas importantes deficiencias de los MOSFET de potencia existentes.

Aunque la última generación de dispositivos MOSFET de potencia ha mejorado enormemente las características de RDS(on), a niveles altos, las pérdidas por conducción de potencia siguen siendo mucho mayores que las de la tecnología IGBT. En comparación con los dispositivos bipolares estándar, la menor caída de voltaje, la capacidad de convertir a VCE (sat) bajo y la estructura del IGBT pueden admitir densidades de corriente más altas y simplificar el esquema del controlador IGBT.