la influencia de mbe

En términos de tecnología de crecimiento epitaxial de material de capa ultrafina, la llegada de MBE ha logrado un crecimiento epitaxial del espesor atómico y molecular, abriendo un nuevo campo de semiconductores en la ingeniería de bandas de energía. El desarrollo de la ciencia de los materiales semiconductores ha desempeñado un papel positivo en la promoción de la física de los semiconductores y la ciencia de la información. Es la base de la microelectrónica, la optoelectrónica, la electrónica superconductora y la electrónica del vacío. Históricamente, los avances en la tecnología epitaxial y las estructuras requeridas a partir de ellos han desempeñado un papel integral en el desarrollo de los dispositivos semiconductores modernos. Sin duda, la aparición de MBE ha estimulado la imaginación de científicos e ingenieros y les ha brindado oportunidades desafiantes. El desarrollo de la tecnología de epitaxia de haces moleculares ha promovido el crecimiento de materiales heterogéneos de elementos múltiples, como los semiconductores III-V, ha promovido en gran medida el desarrollo de nuevas tecnologías microelectrónicas y ha creado GaAs IC, transistores heterogéneos GeSi y sus circuitos integrados, así como varios Nuevos dispositivos de superred. En particular, los circuitos integrados de GaAs (circuitos integrados diseñados y fabricados en base a MESFET, HEMT, HBT y estos dispositivos) y los dispositivos infrarrojos y otros dispositivos optoelectrónicos son de gran importancia en aplicaciones militares. GaAs MIMIC (circuito monolítico de ondas milimétricas de microondas) y GaAs VHSIC (circuito integrado de muy alta velocidad) desempeñarán un papel importante en nuevos radares de matriz en fase, equipos de guerra electrónica, armas inteligentes, procesamiento de señales de ultra alta velocidad, computadoras militares, etc.

En la década de 1990, más de 50 sistemas completos en China y Estados Unidos utilizaban MIMIC. El llamado sistema de máquinas completo incluye armas inteligentes, radares, guerra electrónica y campos de comunicaciones. En el lado del radar, incluye radares de matriz en fase diseñados y fabricados con componentes activos de transmisión/recepción (T/R) en las bandas S, C, X y Ku. En la guerra electrónica, Raytheon está desarrollando componentes T/R y fibra de erbio activo para simular GaAs de banda ancha y ultra ancha. En términos de armas inteligentes, ocho armas inteligentes han utilizado este circuito en la primera fase del programa MIMIC de Estados Unidos, que también se utilizó en la Guerra del Golfo. En términos de comunicaciones, incluye principalmente el Sistema de Comunicaciones por Satélite de Defensa (DSCS), el Sistema de Posicionamiento Global (GPS), las comunicaciones de frecuencia ultraalta de onda corta y las comunicaciones seguras de onda milimétrica a pequeña escala.

La aplicación de dispositivos optoelectrónicos en el ejército se ha convertido en una de las tecnologías clave para mejorar diversas armas y sistemas de comando y control de comunicaciones, y también juega un papel particularmente importante en la mejora de la capacidad de supervivencia del sistema. Incluye principalmente láseres, fotodetectores, sensores de fibra óptica, sistemas de cámaras CCD y sistemas de visualización de pantalla plana. Se utilizan ampliamente en radares, armas direccionales, dispositivos de localización, detección de visión nocturna por infrarrojos, comunicaciones, sistemas de visualización de vehículos, control de disparos de misiles y sistemas de sonar por radar. Las tecnologías clave de los dispositivos optoelectrónicos mencionados anteriormente tienen similitudes con la microelectrónica y los dispositivos de microondas y ondas milimétricas, como la epitaxia de haz molecular, la deposición de vapor de compuestos organometálicos y otras tecnologías avanzadas de crecimiento de materiales en capas ultrafinas. Los expertos creen que un avance importante en la optoelectrónica de semiconductores en el futuro será la investigación sobre materiales y dispositivos estructurales de superred y pozos cuánticos (puntos, líneas), cuyo potencial de desarrollo es inconmensurable. La guerra del futuro es una guerra de alta tecnología dominada por la electrónica militar, y su símbolo es la electrónica y la inteligencia del equipo militar. Y su núcleo es la microelectrónica. Los componentes electrónicos clave con la microelectrónica como núcleo son un grupo de tecnología básica de alta tecnología. El desarrollo de dispositivos y circuitos debe depender del avance de las tecnologías de crecimiento de materiales de capas ultrafinas, como la tecnología de epitaxia de haces moleculares.