¿Cuál es el reemplazo del transistor 65R950?
El triodo es uno de los componentes básicos de los semiconductores. Tiene la función de amplificar la corriente y es el componente central de los circuitos electrónicos. El triodo se compone de dos uniones PN, que están muy cerca entre sí en el sustrato semiconductor. Dos uniones PN dividen todo el semiconductor en tres partes: la parte central es la región base y los dos lados son la región emisora y la región colectora. El acuerdo es PNP y NPN.
Nombre chino
Transistor
Nombre extranjero
Transistor de unión bipolar
Otro nombre
Transistor
Tiempo de invención
1947
Materiales
Semiconductor
Rápido
p>Navegación
Historial de desarrollo Principio de funcionamiento Clasificación del producto Parámetro del producto Tipo de juicio Tipo de estructura Función del producto Estado de trabajo Juicio del producto Circuito amplificador Símbolo del producto Selección de nombres de productos Fórmula de juicio de reemplazo
Explicación básica
p>Transistor [1] (también llamado transistor) es solo el nombre general para los dispositivos amplificadores de tres pines en chino. Los transistores de los que hablamos a menudo pueden ser varios dispositivos, como se muestra en la imagen.
Se puede observar que aunque ambos se llaman triodos, en realidad las expresiones en inglés son muy diferentes. La palabra triodo es en realidad una palabra pictográfica exclusiva de los chinos.
"Triodo" es la única traducción al inglés de "Triodo" en el diccionario inglés-chino. Está relacionada con la primera aparición del triodo electrónico y es lo original a lo que se refiere la palabra triodo en el diccionario. verdadero sentido. Los dispositivos restantes llamados triodos en chino no se pueden traducir a triodos en la traducción real.
Transistor (comúnmente conocido como un tipo de tubo de electrones)
Transistor bipolar BJT (transistor de unión bipolar)
Transistor de efecto de campo tipo J efecto de campo de puerta de unión transistor (Transistor de efecto de campo)
El nombre completo en inglés de MOS FET (Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico).
Transistor de efecto de campo con ranura en V VMOS (Semiconductor vertical de óxido metálico)
Nota: Estos tres parecen ser transistores de efecto de campo. De hecho, los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico y los transistores de efecto de campo de canal V son estructuras unipolares, correspondientes a bipolares, por lo que también pueden denominarse colectivamente transistores de unión unipolar.
El FET tipo J es un FET no aislante, y tanto el MOS FET como el VMOS son FET aislantes.
VMOS es un nuevo tipo de transistor de potencia de alta corriente y alta amplificación (canal cruzado) mejorado sobre la base de MOS. La diferencia es que se utiliza una ranura en forma de V, que aumenta en gran medida el factor de amplificación y la corriente de funcionamiento del transistor MOS, pero al mismo tiempo también aumenta en gran medida la capacitancia de entrada del transistor MOS. Es un producto de mejora de alta potencia de los transistores MOS, pero su estructura es muy diferente de la de los transistores MOS tradicionales. VMOS es solo una mejora y no tiene el exclusivo tubo MOS de modo de agotamiento de MOS.
Historia del desarrollo
El 23 de diciembre de 1947, en los Laboratorios Bell de Murray Hill, Nueva Jersey, Estados Unidos, tres científicos: el Dr. Bardeen, el Dr. Bryton y el Dr. Shockley—estaban trabajando nerviosamente. Llevar a cabo experimentos de manera ordenada. Están realizando experimentos para amplificar señales de sonido utilizando cristales semiconductores en circuitos conductores. Los tres científicos se sorprendieron al descubrir que una parte de la pequeña corriente que fluye a través del dispositivo que inventaron podría en realidad controlar una corriente mucho mayor que fluye a través de otra parte, creando un efecto de amplificación. Este dispositivo es un logro que hace época en la historia de la tecnología: el transistor. Debido a que se inventó en Nochebuena y tiene un impacto tan grande en la vida futura de las personas, se le llama "regalo de Navidad para el mundo". Estos tres científicos ganaron el Premio Nobel de Física en 1956.
[2] Una nueva investigación ha descubierto que depositar una capa del material correspondiente fuera del sustrato del extremo de salida de electrones del transistor puede formar una estructura semiconductora de refrigeración P-N, porque el nivel de energía electrónica del material N es bajo. y los electrones del material P El nivel de energía es alto y los electrones necesitan absorber calor del sustrato cuando fluyen, lo que proporciona una buena manera para que el núcleo del transistor disipe el calor.
Debido a que el calor extraído es proporcional a la corriente, la industria también llama a esta tecnología de disipación de calor "sangre electrónica". Según la posición de polaridad del nuevo material agregado, el nuevo triodo de refrigeración se denomina N-PNP o NPN-P.
Los transistores impulsaron y provocaron la "revolución del estado sólido", que a su vez impulsó la industria electrónica de semiconductores en todo el mundo. Como componente principal, primero se utilizó rápida y ampliamente en herramientas de comunicación y produjo enormes beneficios económicos. Debido a que los transistores han cambiado por completo la estructura de los circuitos electrónicos, han surgido circuitos integrados y circuitos integrados a gran escala, haciendo realidad dispositivos de alta precisión, como las computadoras electrónicas de alta velocidad.
Principio de funcionamiento
Base teórica
Los transistores (en adelante, transistores) se dividen en dos tipos según los materiales: tubos de germanio y tubos de silicio. Cada uno tiene dos formas estructurales: NPN y PNP, pero los más utilizados son los transistores NPN de silicio y PNP de germanio (donde N representa negativo en inglés). Los semiconductores tipo N añaden fósforo al silicio de alta pureza para reemplazar algunos átomos de silicio. Bajo voltaje estimulación Generando electrones libres para la conductividad, P significa positivo, es decir, agregando boro para reemplazar el silicio, generando una gran cantidad de agujeros para la conductividad). Excepto por la diferente polaridad de la fuente de alimentación, sus principios de funcionamiento son los mismos. A continuación solo se presenta el principio de amplificación actual de los tubos de silicio NPN.
Para un tubo NPN, consta de dos semiconductores de tipo N con un semiconductor de tipo P intercalado en el medio. La unión PN formada entre el emisor y la base se llama unión emisor, y la unión PN formada entre el colector y la base se llama unión colector. Estos tres cables se denominan emisor e (emisor), base b (base) y colector c (colector). Como se muestra en la figura de la derecha
Cuando el potencial del punto B es varios voltios mayor que el potencial del punto E, la unión del emisor está en un estado polarizado directo, y cuando el potencial del punto C es varios voltios más alto que el potencial del punto B Volts, la fuente de alimentación del colector Ec es más alta que la fuente de alimentación de la base Eb.