¿Cuál será la prueba de "830 Física de semiconductores" de la Universidad de Shandong en 2022?
●Acerca de la Universidad de Shandong
La Universidad de Shandong fue fundada en 1901 y es conocida como la primera universidad moderna de educación superior en China. Su disciplina médica se originó en 1864, abriendo la educación médica superior moderna en China. Desde su nacimiento, la escuela ha pasado por varios períodos de desarrollo histórico, incluido el Salón de la Universidad de Shandong, la Universidad Nacional de Qingdao, la Universidad Nacional de Shandong, la Universidad de Shandong y la nueva Universidad de Shandong, que se formó mediante la fusión de la Universidad de Shandong original, Shandong Medical. Universidad y Universidad Tecnológica de Shandong. Durante 120 años, la Universidad de Shandong siempre se ha adherido al propósito educativo de "acumular talentos para el mundo, enriquecer el país y fortalecer al ejército", practicando profundamente el espíritu de "aprendizaje sin fin y apuntando alto", haciendo esfuerzos incansables y transmitiendo De generación en generación, acumulando y formando el espíritu escolar de "defensa de la verdad", práctico e innovador, ha cultivado más de 600.000 talentos de todo tipo y contribuido al desarrollo económico y social nacional y regional.
●La naturaleza, objetivos y contenido del examen 830 Física de Semiconductores.
1. Objetivo del examen
"Física de semiconductores" es una de las materias de la prueba de acceso para estudiantes de maestría en microelectrónica y electrónica de estado sólido. El Examen de Física de Semiconductores debe esforzarse por reflejar las características de la maestría en microelectrónica y evaluar las cualidades básicas y habilidades integrales de los candidatos de manera científica, justa, precisa y normativa, a fin de facilitar la selección de talentos destacados con potencial de desarrollo para la admisión y capacitación. para adaptarse a la modernización de la construcción y la microelectrónica de mi país. El desarrollo de la industria electrónica en realidad requiere el desarrollo integral de habilidades morales, intelectuales y físicas, dominar los conocimientos, la teoría y las habilidades experimentales de microelectrónica necesarios y ser capaz de participar en la investigación científica. docencia, desarrollo científico y tecnológico y trabajos de ingeniería en microelectrónica y carreras afines.
2. Requisitos del examen
Evaluar el dominio de los conceptos básicos y el conocimiento de la física de semiconductores, así como sus capacidades de aplicación.
3. Contenido del examen
1. Estados electrónicos en semiconductores
1) Estructura reticular y características de enlace de los semiconductores
2) Electrónica estados y bandas de energía en semiconductores
3) Masa efectiva de electrones en semiconductores.
4) Agujeros en la estructura conductora del semiconductor
5) Spin* *vibración
6) Estructura de bandas de energía del silicio y germanio
7) Estructura de bandas de energía de los semiconductores compuestos del grupo ⅲ-ⅴ
8) Estructura de bandas de energía de los semiconductores compuestos del grupo ⅱ-ⅵ
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Niveles de impurezas en cristales de silicio y germanio
2) Niveles de energía de impurezas en compuestos III-V
3) Niveles de energía de defectos y dislocaciones
3. Distribución estadística de portadoras en semiconductores
1) Densidad de estados
2) Nivel de Fermi y distribución estadística de portadoras
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3) Concentración de portadores de semiconductores intrínsecos
4) Concentración de portadores de semiconductores de impurezas
5) Distribución estadística de portadores generales.
6) Semiconductores degenerados
4. Conductividad de los semiconductores
1) Movilidad por deriva de los portadores
2) Portadores Dispersión de corrientes
3) La relación entre movilidad y concentración y temperatura de impurezas
4) La resistividad y su relación con la concentración y temperatura de impurezas
5) afecta a los portadores calientes bajo fuertes corrientes eléctricas. campos
6) Desviación de la ley de Ohm
7) Efecto Gunn de la dispersión de valles de múltiples energías
5 Portador de desequilibrio
1. ) Inyección y recombinación de portadores desequilibrados
2) Vida útil de los portadores desequilibrados
3) Nivel cuasi-Fermi
4) Teoría compuesta
5) Efecto trampa
6) Difusión de portadores
7) Movimiento de deriva de portadores Relación de Einstein
8) Ecuación de continuidad d
6. Propiedades ópticas de los semiconductores y fenómenos fotoeléctricos y de luminiscencia
1) Constantes ópticas de los semiconductores
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2) Absorción de luz de los semiconductores
3 ) Fotoconductividad de los semiconductores
4) Efecto fotoeléctrico de los semiconductores
5) Luminiscencia de los semiconductores
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6) Láser semiconductor
7. Magnetismo semiconductor y efecto piezorresistivo
1) Efecto Hall
2) Efecto magnetoóptico
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3) Efecto Hall cuantificado
IV.Preguntas y puntuaciones del examen
Adhiérase al principio de combinar teoría con práctica y combinar conocimientos básicos con comprensión y aplicación. Los tipos de preguntas incluyen análisis de imágenes, cálculos y derivaciones, preguntas y respuestas, descripciones breves, explicaciones de sustantivos, etc. La puntuación total de este curso es 150.
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